会议论文《GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响》探讨了GaN帽层在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的作用。研究通过实验分析了不同GaN帽层厚度对肖特基接触性能的影响，结果表明适当厚度的GaN帽层能有效改善器件的电学特性，降低接触电阻，提升器件性能。该成果为优化HEMT器件设计提供了理论依据和技术支持。
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