1100VIGBT结构参数的分析 - 2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会.pdf

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2026-1-12 07:00 | 查看全部 阅读模式

会议论文《1100V IGBT结构参数的分析》探讨了1100伏绝缘栅双极型晶体管的结构设计及其对性能的影响。文章通过理论分析与实验验证,研究了关键结构参数如沟槽宽度、掺杂浓度和氧化层厚度等对器件电气特性的作用。该研究为优化IGBT性能提供了重要参考,有助于提高电力电子器件的效率与可靠性。

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1100VIGBT结构参数的分析 - 2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会
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