一种单晶型100V LDMOS设计 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会.pdf

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2026-1-12 08:28 | 查看全部 阅读模式

会议论文《一种单晶型100V LDMOS设计》介绍了针对100V耐压的LDMOS器件的设计方法。该研究由四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会发布,重点探讨了单晶型结构在提升器件性能方面的优势,为功率半导体器件的发展提供了参考。

文档为pdf格式,0.8MB,总共4页。

一种单晶型100V LDMOS设计 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
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