该会议论文提出了一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构。该结构通过优化漂移区的几何形状，有效提高了器件的击穿电压和导通性能。研究结果表明，该设计在保持较低导通电阻的同时，显著增强了器件的耐压能力，为高性能SOI功率器件的发展提供了新思路。
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