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150A_150V低导通电阻VDMOS器件的研究 - 2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会.pdf

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2026-1-12 06:59 | 查看全部阅读模式

该会议论文研究了150A/150V低导通电阻VDMOS器件，旨在提高功率半导体器件的性能。通过优化结构设计和工艺参数，实现了较低的导通电阻，从而提升了器件的效率和可靠性。文章对器件的工作原理、结构特点及实验测试结果进行了详细分析，为大电流、低电压应用提供了理论支持和技术参考。

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学会, 电阻, 第十, 年中, 一届

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