会议论文《硅中位错运动及其与晶界相互作用的研究》发表于第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议。该研究深入探讨了硅材料中位错的运动机制及其与晶界之间的相互作用，对理解半导体材料的力学性能和缺陷控制具有重要意义。论文通过实验与模拟相结合的方法，为提高硅基器件的可靠性提供了理论支持。
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