重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的研究 - 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议.pdf

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2026-1-11 22:12 | 查看全部 阅读模式

会议论文《重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的研究》探讨了在重掺锑直拉硅片中氧沉淀对缺陷形成的影响。研究通过实验分析了不同工艺条件下氧沉淀的演变规律及其对材料性能的影响,为提高硅片质量提供了理论依据和技术支持。

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重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的研究 - 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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