会议论文《重掺锑直拉硅单晶原生氧沉淀形成的研究》探讨了在重掺锑直拉硅单晶中，原生氧沉淀的形成机制及其对材料性能的影响。研究通过实验分析，揭示了氧沉淀在生长过程中的行为特征，为优化硅单晶制备工艺提供了理论依据。该成果对于提高半导体器件的质量和可靠性具有重要意义。
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