会议论文《深亚微米NMOS器件总剂量辐照引起的寄生管泄漏电流模型》探讨了在总剂量辐照环境下，深亚微米NMOS器件中寄生晶体管泄漏电流的变化机制。该研究通过实验与模拟相结合的方法，建立了泄漏电流的物理模型，为评估辐射环境下器件可靠性提供了理论依据。
文档为pdf格式，0.17MB，总共4页。
举报
