会议论文《深亚微米CMOS随机静态存储器反应堆中子辐射效应实验研究》探讨了深亚微米CMOS技术在反应堆中子辐射环境下的性能变化。研究通过实验分析了中子辐射对SRAM器件的影响，揭示了辐射导致的故障机制和可靠性问题，为提高半导体器件在核环境中的抗辐射能力提供了理论依据和技术支持。
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