浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

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2026-1-11 19:43 | 查看全部 阅读模式

会议论文《浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展》探讨了浮栅存储器在总剂量辐射环境下的性能变化及失效机制。文章综述了近年来相关研究的最新成果,分析了辐射对器件电荷存储、阈值电压和数据保持能力的影响。研究为提高浮栅存储器的抗辐射能力提供了理论依据和技术参考,对航天、核能等高辐射环境中的应用具有重要意义。

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浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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