会议论文《局部双轴应变SiGe材料的生长与表征》介绍了通过特定工艺在硅基上生长具有局部双轴应变的SiGe材料。该研究采用先进的外延生长技术，结合微结构设计，实现了对材料应变状态的有效调控。通过多种表征手段，如X射线衍射和拉曼光谱，验证了材料的应变特性。该成果为高性能半导体器件的开发提供了重要基础。
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