会议论文《衬底偏角对GaN HVPE外延生长的影响》探讨了在GaN高纯度蒸气相外延（HVPE）过程中，衬底偏角对晶体质量及生长行为的影响。研究通过实验分析不同偏角下GaN层的表面形貌与结晶质量，揭示了偏角对位错密度和生长速率的作用机制，为优化GaN外延生长工艺提供了理论依据和技术支持。
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