衬底温度对MOCVD生长ZnO_GaN_Al2O3外延薄膜的性能影响 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 06:26 | 查看全部 阅读模式

会议论文《衬底温度对MOCVD生长ZnO_GaN_Al2O3外延薄膜的性能影响》探讨了不同衬底温度对三元复合外延薄膜结构和光电性能的影响。研究结果表明,衬底温度显著影响薄膜的结晶质量与光学特性,为优化ZnO/GaN/Al2O3异质结器件性能提供了重要参考。

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衬底温度对MOCVD生长ZnO_GaN_Al2O3外延薄膜的性能影响 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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