700V高压LDMOS的比较研究及优化 - 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议.pdf

9 0
2026-1-11 08:32 | 查看全部 阅读模式

会议论文《700V高压LDMOS的比较研究及优化》探讨了不同结构设计对700V高压LDMOS性能的影响,分析了其在击穿电压、导通电阻和开关特性方面的表现。通过优化器件结构,提升了器件的功率性能与可靠性,为高电压功率集成电路的设计提供了理论支持和技术参考。

文档为pdf格式,0.16MB,总共4页。

700V高压LDMOS的比较研究及优化 - 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
文件大小:
163.84 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1