会议论文《硅衬底上AIN缓冲层质量对GaN质量的影响》探讨了在硅衬底上生长氮化铝（AIN）缓冲层对氮化镓（GaN）薄膜质量的影响。研究指出，高质量的AIN缓冲层能有效改善GaN的结晶性能，减少缺陷密度，提升器件性能。该文为提高GaN基半导体器件的质量提供了重要参考，具有重要的理论和应用价值。
文档为pdf格式，0.9MB，总共4页。
举报
