会议论文《AlGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究》发表于第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)。该研究探讨了AlGaN薄膜在MOCVD（金属有机化学气相沉积）过程中的生长特性，并重点分析了P型掺杂技术对材料性能的影响，为高亮度LED和紫外光源的发展提供了重要参考。
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