会议论文《4H-SIC阳极凹槽肖特基二极管耐压与凹槽深度的关系》探讨了4H-SiC材料在肖特基二极管中的应用，重点分析了阳极凹槽深度对器件耐压性能的影响。研究通过实验和模拟方法，揭示了凹槽深度与击穿电压之间的关系，为优化器件结构、提高性能提供了理论依据和技术支持。
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