会议论文《短周期InAs_GaSb超晶格材料的生长》介绍了短周期InAs/GaSb超晶格材料的制备与研究。该研究通过分子束外延技术，探索了材料的生长条件及其结构特性，旨在提高材料质量与性能。论文对超晶格的界面控制、晶体质量及电学特性进行了详细分析，为高性能半导体器件的应用提供了理论支持和技术参考。
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