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i-Si层厚度对Si_SiC异质结光电特性的影响 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 00:50 | 查看全部阅读模式

会议论文《i-Si层厚度对Si_SiC异质结光电特性的影响》探讨了不同i-Si层厚度对Si/SiC异质结光电性能的影响。研究通过实验分析发现，i-Si层厚度变化显著影响载流子迁移率、光吸收效率及器件响应特性。该成果为优化Si/SiC异质结器件设计提供了理论依据和技术支持。

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光电, 器件, 化合物, 十六届, 厚度

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