V族离子注入ZnO体单晶的初步研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 00:47 | 查看全部 阅读模式

会议论文《V族离子注入ZnO体单晶的初步研究》探讨了通过V族元素离子注入对ZnO体单晶进行改性的实验方法与结果。研究旨在改善ZnO材料的电学和光学性能,为光电器件和半导体应用提供新途径。论文分析了离子注入参数对晶体结构及特性的影响,提出了优化方案,具有重要的理论与应用价值。

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V族离子注入ZnO体单晶的初步研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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