会议论文《InGaAs_InP红外探测材料与线列器件的研究》发表于第十一届全国MOCVD学术会议，主要探讨了InGaAs/InP材料在红外探测领域的应用。文章详细分析了材料的生长工艺、结构特性及其在红外探测器中的性能表现，重点研究了线列器件的设计与优化，为高性能红外探测技术的发展提供了理论支持和实验依据。
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