会议论文《GSMBE生长的带有渐变基区的InP_InGaAs_InP DHBT》介绍了采用GSMBE技术制备的具有渐变基区结构的双异质结双极晶体管。该研究旨在提升器件性能，通过优化材料结构实现更高的速度和更低的噪声。论文展示了器件的制备工艺、结构特点及性能测试结果，为高性能光电子和微波器件的发展提供了理论支持和技术参考。
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