会议论文《GaN基纳米柱LED中的应力弛豫》探讨了在GaN基纳米柱LED中，通过结构设计实现应力的有效弛豫，从而提升器件性能。研究分析了纳米柱结构对材料应力分布的影响，表明该方法可显著降低位错密度和热应力，提高光输出功率和器件寿命。该成果为高性能GaN基光电器件的开发提供了理论支持和技术路径。
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