GaAs基短周期InAs_InGaSb超晶格红外探测器研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

会议论文《GaAs基短周期InAs_InGaSb超晶格红外探测器研究》介绍了基于GaAs衬底的短周期InAs/InGaSb超晶格结构在红外探测器中的应用。该研究通过优化材料生长参数，提升了器件的性能，为高性能红外探测器提供了新的材料方案。

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