会议论文《GaN垒层厚度对InGaN_GaN单量子阱光学特性的影响》探讨了GaN垒层厚度变化对InGaN/GaN单量子阱光学性能的影响。研究通过改变GaN垒层的生长条件，分析其对量子阱结构的能带分布、光致发光谱以及载流子 confinement 的影响，为优化氮化物半导体器件的发光效率提供了理论依据和技术参考。
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