GaN MOCVD控制系统设计与研制 - 第十一届全国MOCVD学术会议.pdf

5 0
2026-1-11 00:25 | 查看全部 阅读模式

会议论文《GaN MOCVD控制系统设计与研制》介绍了用于氮化镓材料生长的MOCVD控制系统的研发成果。该系统通过优化工艺参数和实时监控技术,提高了生长效率和薄膜质量。研究针对MOCVD设备的控制策略进行了深入探讨,为高性能GaN器件的制备提供了技术支持。

文档为pdf格式,0.35MB,总共3页。

GaN MOCVD控制系统设计与研制 - 第十一届全国MOCVD学术会议
文件大小:
358.4 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1