会议论文《Ge纳米点_Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析》介绍了通过MOCVD技术制备Ge纳米点与Si纳米线复合结构的方法。文章详细分析了该复合结构的微结构特征，包括形貌、成分和晶体质量等。研究结果对新型半导体器件的开发具有重要意义，为纳米材料在光电子领域的应用提供了理论支持。
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