会议论文《GaN HVPE生长基座优化研究》探讨了氮化镓（GaN）在高纯度氢化物气相外延（HVPE）生长过程中的基座优化问题。该研究针对GaN晶体生长过程中基座材料的热稳定性、热膨胀系数及表面特性进行了系统分析，提出了改进基座结构的设计方案，以提高GaN薄膜的质量和生长效率。该成果对推动高性能GaN器件的发展具有重要意义。
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