会议论文《AlGaN_AlN_GaN HFETs中的极化梯度库仑场散射》探讨了在AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管中，由于极化效应产生的库仑场散射机制。该研究对器件性能的影响进行了深入分析，为优化器件设计和提高电子器件的可靠性提供了理论依据。
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