会议论文《6H-SiC的晶型可控生长》介绍了通过优化生长条件实现6H-SiC晶型的精确控制，为高性能半导体器件提供了高质量单晶材料。该研究在第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表，对推动SiC在电力电子和高频器件中的应用具有重要意义。
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