AlN阻挡层生长温度对InGaN沟道异质结材料电特性的影响 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 00:15 | 查看全部阅读模式

会议论文《AlN阻挡层生长温度对InGaN沟道异质结材料电特性的影响》探讨了不同生长温度下AlN阻挡层对InGaN沟道异质结电学性能的影响。研究结果表明，生长温度显著影响材料的结晶质量与界面特性，进而改变载流子迁移率和二维电子气密度。该工作为优化氮化物半导体器件性能提供了重要参考。

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