会议论文《As掺杂p型ZnO薄膜的制备》介绍了通过掺杂砷元素实现p型ZnO薄膜的制备方法。研究采用磁控溅射技术，在ZnO基底上沉积As掺杂薄膜，并通过退火处理改善其电学性能。实验结果表明，As掺杂有效提高了ZnO的p型特性，为光电器件和半导体器件的应用提供了新思路。
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