会议论文《AlGaN_GaN HEMT的高温特性研究》探讨了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在高温环境下的性能表现。该研究通过实验分析了器件在不同温度条件下的电学特性，揭示了高温对载流子迁移率、阈值电压及漏电流的影响。研究成果为高温环境下功率电子器件的设计与应用提供了理论支持和技术参考。
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