1.8 GHz氮化鎵低雜訊放大器的設計與研製 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 00:05 | 查看全部 阅读模式

会议论文《1.8 GHz氮化鎵低雜訊放大器的設計與研製》介绍了基于氮化鎵(GaN)技术设计的低噪声放大器,工作频率为1.8 GHz。该研究旨在提升射频前端性能,适用于通信系统中的信号放大需求。通过优化电路结构和匹配网络,实现了低噪声系数与高增益的平衡。论文展示了设计过程、仿真结果及测试数据,为GaN器件在高频应用中的发展提供了参考。

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1.8 GHz氮化鎵低雜訊放大器的設計與研製 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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