AlGaN_GaN紫外发光分离限制异质结构的MOCVD外延 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

会议论文《AlGaN/GaN紫外发光分离限制异质结构的MOCVD外延》介绍了通过MOCVD技术制备AlGaN/GaN异质结构的研究。该研究聚焦于紫外发光器件的外延生长，探讨了分离限制结构对性能的影响。论文为高性能紫外LED和激光二极管的开发提供了重要参考。

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AlGaN_GaN紫外发光分离限制异质结构的MOCVD外延 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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