本文研究了SiC表面氢等离子体处理对MOS界面电学特性的影响。通过等离子体处理，有效改善了SiC/SiO2界面质量，降低了界面态密度，提高了器件的电学性能。实验结果表明，氢等离子体处理能够显著优化MOS结构的界面特性，为高性能SiC器件的开发提供了理论支持和技术参考。
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