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论文《InAs_AlSb量子阱结构材料表征》在第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议上发表，主要研究了InAs/AlSb量子阱结构的物理特性。通过多种表征技术，如X射线衍射和扫描电子显微镜，分析了材料的晶体质量、界面结构及能带特性。该研究为高性能光电器件和微波器件的开发提供了重要理论依据和技术支持。 文档为pdf格式，1.09MB，总共3页。
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- InAs_AlSb量子阱结构材料表征 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf ...
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