针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计

针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计
由于大功率、高频高温等运行环境的需求，碳化硅(SiC)器件成为新一代半导体器件的代表，但其尖峰问题一直制约着这一新型器件的发展。以SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为研究对象，着重从逆变器中运用SiC器件的方面来进行尖峰问题的研究，分析了SiC MOSFET在开关过程中产生尖峰和振荡的原因，通过增加RC缓冲电路的方法对SiC的尖峰和振荡问题进行优化，结果证明RC缓冲电路可以降低SiC器件产生的尖峰和振荡。通过多组实验进行数据曲线的拟合，确定了RC缓冲电路中缓冲电容与缓冲电阻的关系表达式。

标题：
针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计
Spikes and oscillation suppression methods based on SiC devices in high frequency inverter

作者：
卞正达，黄天一，徐长福，王若隐，张铭
BIAN Zhengda, HUANG Tianyi, XU Changfu, WANG Ruoyin, ZHANG Ming

关键词：
SiC MOSFET;逆变电路;尖峰;米勒平台;RC缓冲电路
SiC MOSFET;inverter circuit;spike;miller platform;RC snubber circuit

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