采用AlGaN_GaN多量子势垒阻挡层的大功率InGaN_GaN多量子阱蓝光发光二极管 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 18:47 | 查看全部阅读模式

会议论文《采用AlGaN_GaN多量子势垒阻挡层的大功率InGaN_GaN多量子阱蓝光发光二极管》介绍了通过引入AlGaN-GaN多量子势垒阻挡层，提升InGaN-GaN多量子阱蓝光发光二极管的性能。该设计有效改善了载流子限制和器件效率，为高功率蓝光LED的发展提供了新思路。

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