会议论文《离子注入制备Ge半导体纳米晶及其光学性能研究》介绍了通过离子注入技术制备Ge纳米晶的方法，并对其光学性能进行了系统研究。该研究为半导体纳米材料的制备提供了新思路，对光电子器件的发展具有重要意义。论文发表于全国第十二届电子束离子束学术年会等多学科交叉的学术会议上，展示了我国在高能束加工与粒子源领域的最新研究成果。
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