异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

查看全部 · 2026-1-12 13:41

会议论文《异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点》探讨了在GaAs基底上通过异变生长技术制备长波长InAs垂直耦合量子点的工艺与特性。该研究为高性能光电器件提供了新的材料基础，具有重要的应用价值。

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