4H-Si1-yCy合金的生长及特性 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:09 | 查看全部 阅读模式

会议论文《4H-Si1-yCy合金的生长及特性》介绍了4H-Si1-yCy合金的制备方法及其物理特性。该研究通过化学气相沉积法生长出高质量的4H-Si1-yCy单晶薄膜,并对其结构、电学和光学性能进行了系统分析。结果表明,该合金具有优异的半导体特性,有望应用于高频电子器件和光电器件领域。

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4H-Si1-yCy合金的生长及特性 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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