4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:09 | 查看全部 阅读模式

会议论文《4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究》探讨了在4H-SiC MESFET制造过程中金属掩膜的关键作用。文章分析了不同金属材料和工艺参数对器件性能的影响,提出了优化方案以提高器件的可靠性和稳定性。该研究为4H-SiC器件的高性能制造提供了重要参考。

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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