会议论文《用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构》介绍了基于MOS电容与压阻效应的新型传感器结构，用于高精度纳米梁位移检测。该设计结合了电容传感的高灵敏度与压阻效应的直接响应特性，提升了微纳尺度位移测量的准确性与稳定性。研究在第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议上发表，为微电子机械系统（MEMS）领域提供了新的技术思路。
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