用于静电保护的高压LDMOS器件优化方法的研究 - 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议.pdf

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2026-1-11 20:28 | 查看全部 阅读模式

会议论文《用于静电保护的高压LDMOS器件优化方法的研究》发表于第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议。该文针对高压LDMOS器件在静电保护方面的性能优化进行了深入研究,提出了一系列改进措施,旨在提升器件的耐压能力和可靠性。研究成果对推动高性能功率器件的发展具有重要意义。

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用于静电保护的高压LDMOS器件优化方法的研究 - 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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