会议论文《PDP行驱动芯片用高压SOI NLDMOS研究》针对等离子体显示面板（PDP）行驱动芯片中高压器件的需求，提出了一种基于硅-on-Insulator（SOI）技术的NLDMOS结构。该研究通过优化器件设计与工艺参数，提升了器件的耐压能力和开关性能，为高集成度、低功耗的PDP驱动电路提供了可行方案。
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