会议论文《PECVD新型低介电常数SiCONF介质薄膜》介绍了通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备的新型低介电常数SiCONF薄膜。该研究旨在开发适用于先进集成电路的高性能介质材料，具有良好的介电性能和热稳定性。论文详细探讨了工艺参数对薄膜结构与性能的影响，为未来芯片制造提供了重要参考。
文档为pdf格式，0.15MB，总共5页。
举报
