会议论文《P-JFET击穿电压提高的研究》探讨了如何通过优化器件结构和工艺参数来提升P-JFET的击穿电压。该研究针对半导体器件在高电压应用中的性能瓶颈，提出了一系列改进措施，有效提高了器件的可靠性与稳定性。研究成果为高性能功率器件的设计与制造提供了理论支持和技术参考，对推动半导体技术发展具有重要意义。
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