浮动肖特基环对GaN肖特基二极管电学特性的影响 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 05:02 | 查看全部阅读模式

会议论文《浮动肖特基环对GaN肖特基二极管电学特性的影响》探讨了浮动肖特基环结构对GaN肖特基二极管性能的影响。研究结果表明，该结构可有效改善器件的击穿电压和漏电流特性，提升器件的稳定性和可靠性。该成果为高性能GaN功率器件的设计提供了理论支持和技术参考。

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